<table id="j2yiqm"><th id="j2yiqm"></th></table><thead id="j2yiqm"><abbr id="j2yiqm"></abbr><style id="j2yiqm"></style><th id="j2yiqm"></th></thead>
              信息存儲應用技術
              • 半導體模塊的制作方法
                本發明涉及半導體模塊。以往,作爲存儲裝置,已知有dram(dynamicrandomaccessmemory:動態隨機存取存儲器)等易失性存儲器。對于dram,要求對應于運算裝置(以下稱爲mpu)的高性能化、數據量的增大能夠承受的大容量化。因此,一直在追求通過存儲器(存儲單元陣列、存儲芯片...
              • 基于識別動態故障模式的存儲器診斷數據壓縮方法與流程
                本發明屬于集成電路測試領域,涉及內建自測試(builtinself-test,bist)技術在嵌入式存儲器中診斷數據的壓縮傳輸。隨著微電子技術工藝水平的提高,嵌入式存儲器在片上系統比例不斷增高;由于存儲器制造對工藝缺陷十分敏感,存儲器的成品率主導著芯片産量。爲了保證存儲器的成品率,內建自測...
              • 存儲器裝置以及電子裝置的制作方法
                本申請的實施例涉及半導體領域,並且更具體地,涉及存儲器裝置以及電子裝置。存儲器裝置通常設置爲計算裝置或通信裝置中的內部存儲器單元。通常,存儲器裝置包含布置爲多行和多列的存儲器單元陣列以用于存儲數據,以及耦合到存儲器單元陣列的行解碼器電路和列解碼器電路以用于響應于外部地址訪問存儲器單元陣列。...
              • 存儲器裝置、存儲器系統及操作該存儲器裝置的方法與流程
                相關申請的交叉引用本申請要求于2018年7月16日提交的申請號爲10-2018-0082530的韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的全部公開內容通過引用整體並入本文。本公開的各個實施例涉及一種存儲器裝置、具有該存儲器裝置的存儲器系統及操作該存儲器裝置的方法,更特別地,涉及一種能夠防止讀取幹擾現象...
              • 一種位線電壓的控制電路及Nand Flash的制作方法
                本發明涉及存儲,特別是涉及一種位線電壓控制電路和一種nandflash。nandflash(閃存)是一種非易失存儲器,nandflash具有改寫速度快,存儲容量大等優點,被廣泛應用到電子産品中。隨著nandflash的大量使用,對nandflash的編程性能要求也在不斷提高。如圖1...
              • SSD存儲擦除計數表備份的方法、裝置、計算機設備及存儲介質與流程
                本發明涉及固態存儲備份,更具體地說是指ssd存儲擦除計數表備份的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。nand閃存以block(物理塊)爲擦除單元,當block的擦除次數(erasecount)超過一定的數值後,block的壽命就到了,不能再被使用了;所以在ssd(固態硬盤)中會有一張...
              • 用于三態內容尋址存儲器的控制電路的制作方法
                本發明涉及一種三態內容尋址存儲器的控制電路,尤其涉及一種在查找線及存儲電壓的電壓互相匹配時電性連接兩供電線的控制電路。三態內容尋址存儲器(ternarycontent-addressablememory,簡稱tcam)因可支持高速的查找,目前已常用于支持大量查找的應用,例如查找網址等。在常...
              • 存儲器件、電阻式存儲單元陣列的電壓補償控制器和方法與流程
                本發明的實施例涉及存儲器件、電阻式存儲單元陣列的電壓補償控制器和方法。集成電路(ic)存儲器件包括電阻式存儲器,諸如電阻式隨機存取存儲器(rram)、磁阻式隨機存取存儲器(mram)、相變隨機存取存儲器(pcram)等。例如,rram是包括rram單元陣列的存儲器結構,每個rram單元使用...
              • 用于類神經網路的存儲器內運算裝置的制作方法
                本發明是有關于一種存儲器內運算裝置(in-memorycomputingdevice),特別是涉及一種包括多種類型存儲單元的存儲器內運算裝置。類神經網路(neuralnetwork)是一種受到生物神經系統處理信息方式所啓發的信息處理方法。隨著大型訓練數據集合和複雜的學習算法的發展,類神經網...
              • 半導體電路及其操作方法與流程
                本發明屬于集成電路,涉及一種半導體電路及其操作方法,且特別是有關于一種類神經網絡及其操作方法。隨著軟件技術的開發,軟件定義的神經網絡的深度學習,通過通用的學習過程,大大提升了人工智能的能力,如圖像識別,語音識別,自然語言理解和決策。一種硬件神經網絡(hardwareneuralne...
              • 記憶體裝置的制作方法
                本揭示內容是關于一種記憶體裝置,特別是關于一種記憶體電力管理的裝置。靜態隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory:sram)是一種使用雙穩態闩鎖電路以儲存每個位元于記憶體陣列之中的半導體記憶體。靜態隨機存取記憶體不需在開啓時再新(refresh)即可維持記憶體陣列中...
              • 一種異步SRAM控制器及調試方法與流程
                本發明涉及集成電路,特別涉及一種異步sram控制器及調試方法。sram存儲器是應用非常廣泛的一類存儲器,其主要的特點在于對數據的保存不依賴電路的刷新,因而存取數據的速度快,效率高。異步sram相較于同步sram,具有在較大的工作電壓範圍內穩定、功耗低等優點。當前的異步sram控制器...
              • SRAM電路及其操作方法與流程
                本發明的實施例涉及sram電路及其操作方法。出于各種目的,在電子器件中使用不同類型的存儲器電路。只讀存儲器(rom)和隨機存取存儲器(ram)是兩種這樣類型的存儲器電路。rom電路允許從rom電路讀取數據,但不寫入至rom電路,並且在電源關閉時保持其存儲的數據。這樣,rom電路通常用于存儲...
              • 存儲器控制器中的刷新方案的制作方法
                本發明總體上涉及計算機領域,更具體地涉及存儲器控制器中的刷新方案。計算機系統通常將廉價且高密度的動態隨機存取存儲器(dram)芯片用于主存儲器。現今銷售的大部分dram芯片與由聯合電子器件工程委員會(jedec)頒布的各種雙數據速率(ddr)dram標准相容。dram芯片不是持久存儲器裝置...
              • 制造MRAM單元的陣列的方法、寫入該MRAM單元的方法與流程
                本發明實施涉及制造mram單元的陣列的方法、寫入該mram單元的方法。磁性隨機存取存儲器(mram)提供了與易失性固態隨機存取存儲器(sram)可比較的性能並提供了與易失性動態隨機存取存儲器(dram)可比較的密度與更低功耗。與非易失性存儲器(nvm)閃速存儲器相比較,mram提供了更快的...
              • 包括分布式寫入驅動布置的半導體器件及其操作方法與流程
                本申請的實施例涉及半導體領域,並且更具體地,涉及包括分布式寫入驅動布置的半導體器件及其操作方法。在典型的存儲器系統中,存儲器單元布置成陣列。每個存儲器單元(也稱爲單元)存儲表示一位的數據。每個單元位于行和列的交叉點。因此,通過選擇在特定單元處相交的行和列來訪問特定單元。列中的每個單元連接到...
              • 用于智能存儲器接口的方法和設備與流程
                本申請是申請號爲:201710384433.5,發明名稱爲:用于智能存儲器接口的方法和設備的分案申請。本公開一般地涉及用于與存儲器設備進行通信的接口架構的。靜態隨機存取存儲器(sram)通常被用在集成電路中。sram單元具有在無需刷新的情況下保持數據的有利特征。sram單元可以包括...
              • 半導體存儲器設備和半導體存儲器設備的操作方法與流程
                本發明構思涉及半導體電路,具體地,涉及被配置爲校正選通信號(strobesignal)的半導體存儲器設備,和/或操作該半導體存儲器設備的方法。半導體設備(例如,半導體存儲器設備)被配置爲執行與外部設備的數據通信。半導體存儲器設備可以存儲從外部設備接收的數據,並且可以將存儲的數據傳送到外部設...
              • 半導體器件的制作方法
                相關申請的交叉引用本申請要求于2018年7月16日提交的申請號爲10-2018-0082453的韓國專利申請的優先權,其全部內容通過引用合並于此。本發明的各種實施例總體而言涉及執行列操作的半導體器件。通常,諸如動態隨機存取存儲(dram)器件的半導體器件可以包括由通過地址選擇的單元陣列組成...
              • 減小行地址到列地址延遲的設備及方法與流程
                本發明涉及半導體存儲器。特定來說,本發明涉及用于減小行地址到列地址延遲的設備及方法。高數據可靠性、高速的存儲器存取及小的芯片大小是半導體存儲器所需要的特征。近年來,一直力圖在不犧牲可靠性的情況下進一步提高存儲器的時鍾速度,這對于固定數目個時鍾循環來說會有效地縮短執行存儲器操作所用的絕對時間...
              技術分類
              X-POWER-BY FNC Vbeta FROM ZZtest